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        TMR角度傳感器

        來源: 作者: 發(fā)布日期:2019-09-29 訪問次數(shù):1831

        TMR傳感器

        TDK的TMR傳感器是一種新型的磁性傳感器,應(yīng)用了HHD磁頭的高靈敏度播放元件——TMR元件。
        HDD磁頭的播放元件應(yīng)用了電阻因外部磁場而變的磁阻效應(yīng)(Magnetoresistance effect)的原理,在1980年代以后,經(jīng)歷了AMR(各向異性磁阻效應(yīng):Anisotropic magnetoresistance effect)元件、GMR(巨磁阻效應(yīng):Giant magnetoresistance effect)元件、TMR(穿隧磁阻效應(yīng):Tunnel magnetoresistance effect)元件,技術(shù)逐漸進(jìn)步,推進(jìn)了HDD的記錄密度飛躍性的提高。各種元件的結(jié)構(gòu)如圖1所示。

        圖1 AMR元件、GMR元件、TMR元件的結(jié)構(gòu)(模式圖)圖1 AMR元件、GMR元件、TMR元件的結(jié)構(gòu)(模式圖)

        TMR元件的磁性結(jié)構(gòu)與GMR元件基本相同,但GMR元件的電流平行于膜面流過,而TMR元件的電流垂直于膜面流過。
        依靠先進(jìn)的薄膜過程技術(shù)制造的TMR元件是一種薄膜元件,具有2層強(qiáng)磁性體層(自由層/固定層)夾住1~2nm的薄絕緣體的勢壘層的結(jié)構(gòu)。固定層的磁化方向被固定,但自由層的磁化方向根據(jù)外部磁場方向而變,元件的電阻也隨之而變。當(dāng)固定層與自由層的磁化方向平行時,電阻最小,勢壘層流過大電流。另外,當(dāng)磁化方向為反向平行時,電阻極端地變大,勢壘層幾乎沒有電流流過(圖2)。

        圖2 TMR的原理圖2 TMR的原理圖左:當(dāng)自由層與固定層的磁化方向平行時,電阻變小,流過大電流。
        圖右:當(dāng)自由層與固定層的磁化方向為反向平行時,電阻變大,只流過微弱的電流。

        TMR傳感器的輸出是AMR傳感器的20倍,GMR傳感器的6倍

        元件電阻的變化比例用MR比這一數(shù)值表示。以前的AMR元件、GMR元件的MR比分別為3%、12%左右,而TMR元件甚至達(dá)到100%。在用2層強(qiáng)磁性體夾持非磁性體的金屬層(Cu等)的GMR元件上,電子的移動表現(xiàn)出金屬的導(dǎo)電現(xiàn)象。而在TMR元件上,電子的移動是量子力學(xué)的隧道效應(yīng)。為此,在固定層與自由層處于反向平行的狀態(tài),GMR元件具有電子"難以移動"的特性,而TMR元件具有可以說電子"根本不能移動"的極端特性。這是TMR元件的MR比極大的原因,輸出表現(xiàn)出"YES或NO"、"1或0"的鮮明特性。
        這也是現(xiàn)在的HDD將TMR元件當(dāng)作高密度播放元件利用的原因。因此,要是將發(fā)揮了高靈敏度特性的TMR元件當(dāng)作磁性傳感器利用,可獲得極大的輸出。實際上,TDK的TMR傳感器的輸出是AMR傳感器的20倍,GMR傳感器的6倍,達(dá)到3,000mV。圖3表示用AMR元件、GRM元件、TMR元件制成的磁性傳感器的特性對比(施加電壓5V時)。

          AMR GMR TMR
        MR比
        [%]
        3 12 箭頭100
        輸出
        [mV]
        150 560 箭頭3300
        溫度依存度
        [%/℃]
        -0.29 -0.23 箭頭-0.13
        (施加電壓5V時)
        圖3 用AMR元件、GRM元件、TMR元件制成的磁性傳感器的特性對比
        圖3 用AMR元件、GRM元件、TMR元件制成的磁性傳感器的特性對比

        溫度漂移、老化也小,最適合車載電氣設(shè)備、產(chǎn)業(yè)設(shè)備

        如果在TMR傳感器上使磁鐵旋轉(zhuǎn),自由層的磁化方向追隨磁鐵的磁場方向,元件的電阻連續(xù)變化。由于電阻值與固定層和自由層的磁化方向的相對角成正比,可當(dāng)作角度傳感器利用(圖4)。

        圖4 利用TMR元件支撐角度傳感器的原理圖4 利用TMR元件支撐角度傳感器的原理

        固定層的磁化方向被固定,自由層的磁化方向向外部磁場方向看齊。
        由于元件的電阻值與固定層和自由層的磁化方向的相對角成正比,作角度傳感器,能夠檢測360°。
        TDK的TMR傳感器的輸出甚至是霍爾元件的500倍,而且耗電量低(5mW/推薦條件下),因此作為面向車載用途的傳感器,具備最佳的特性。例如,可作為汽車的轉(zhuǎn)向角傳感器、EPS(電動動力轉(zhuǎn)向器)電機(jī)用角度傳感器,替代以前的霍爾元件的角度傳感器等。
        溫度漂移(周圍溫度變化引起輸出變化)小是傳感器的基本條件。圖5的曲線對比了TDK的TMR傳感器與以前的AMR傳感器的角度誤差的溫度依存度。以前的AMR傳感器在低溫側(cè)、高溫側(cè)的角度誤差極大,而TDK的TMR傳感器在大的溫度范圍保持穩(wěn)定的角度精度(在磁場范圍20~80mT、溫度范圍-40~150℃的條件下,角度誤差±0.6°以下)。另外,老化小也是TDK的TMR傳感器的重大特點(diǎn),除了在車載電氣設(shè)備上使用外,還可望在各種產(chǎn)業(yè)設(shè)備上得到活用。

        圖5 角度誤差的溫度依存度(TDK的TMR傳感器與以前的AMR傳感器對比)圖5 角度誤差的溫度依存度(TDK的TMR傳感器與以前的AMR傳感器對比)
          
          
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