Hall,AMR,GMR,TMR技術(shù)比較
四代磁性傳感技術(shù)：
·第一代：Hall Effect Sensor——霍爾效應(yīng)傳感器
·第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向異性磁電阻傳感器
·第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁電阻傳感器
·第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁電阻傳感器
Hall工作原理
·電子在磁場(chǎng)中受洛侖茲力作用下偏轉(zhuǎn)，在磁場(chǎng)方向上形成附加的橫向電場(chǎng)，即霍爾電場(chǎng)
·縱向磁場(chǎng)感應(yīng)
AMR工作原理
·單磁層器件
· 平行磁場(chǎng)感應(yīng)
·1～3% △R/R
·工作在45°偏角
·電流在薄膜平面流動(dòng)
·工作場(chǎng)范圍窄
GMR工作原理
·電阻取決于在薄膜界面中自旋電子的散射
·大部分電子不能形成散射
·室溫條件下，GMR的最大電阻變化率（△R/R）<20%
TMR工作原理
·TMR效應(yīng)利用了電子的自旋特性，電子在通過第二層磁性材料時(shí)，電子的自旋方向被定義；
·具有自旋的電子通過量子隧穿效應(yīng)穿過MgO（氧化鎂）絕緣層，然后有選擇性地穿過磁性層（自旋相同則通過——低電阻，否則不通過——高電阻）；
·室溫條件下，TMR的最大電阻變化率（△R/R）可達(dá)500%以上。
TMR的優(yōu)勢(shì)
·功耗低
·靈敏度/分辨率高
·工作范圍寬
·工作溫度范圍大
·高頻響，可達(dá)GHz